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  • SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 特色产品:ThunderFET?
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.2825
  • 6000$1.235
  • 15000$1.1875
  • 30000$1.16375
  • 75000$1.14
产品属性
描述MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2900pF @ 40V功率 - 最大104W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8包装带卷 (TR)
其它名称SIR826DP-T1-GE3TR

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