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  • SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥11.04
  • 10¥10.63
  • 100¥7.80
  • 250¥6.69
  • 500¥6.14
产品属性
描述MOSFET 100 Volts 40 Amps 62.5 Watts漏极连续电流40 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)10.8 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SO-8封装Reel
下降时间16 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)54 S
栅极电荷 Qg32.8 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散62.5 W上升时间16 ns
典型关闭延迟时间55 ns零件号别名SIR876ADP-GE3

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