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  • SIRB40DP-T1-GE3

SIRB40DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥11.13000剪切带(CT)3,000 : ¥4.73297卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.25 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4290pF @ 20V
功率 - 最大值46.2W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳PowerPAK? SO-8 双
供应商器件封装PowerPAK? SO-8 双

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