您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sis376dn-t1-ge3

SIS376DN-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：20 V

发布求购更多供应商

参考价格

数量单价
1950￥3.59
3000￥3.45
6000￥3.24
12000￥3.04

产品属性

描述	MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts	漏极连续电流	35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0047 Ohms	配置	Single
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PowerPAK 1212-8
封装	Reel	下降时间	7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	50 S	栅极电荷 Qg	16.5 nC
功率耗散	33 Watts	上升时间	9 ns
典型关闭延迟时间	16 ns	零件号别名	SIS376DN-GE3

sis376dn-t1-ge3的相关型号：