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SiS782DN-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：20 V

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参考价格

数量单价
1￥3.31
10￥3.17
100￥2.35
250￥2.00
500￥1.86

产品属性

描述	MOSFET 30 Volts 16 Amps 41 Watts	漏极连续电流	16 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0079 Ohms	配置	Single
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PowerPAK 1212-8
封装	Reel	下降时间	9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	43 S	栅极电荷 Qg	20.3 nC
功率耗散	41 Watts	上升时间	13 ns
典型关闭延迟时间	14 ns	零件号别名	SIS782DN-GE3

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