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  • SISA12DN-T1-GE3

SISA12DN-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:2.2 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥6.83
  • 10¥5.31
  • 100¥4.76
  • 250¥4.28
  • 500¥3.73
产品属性
描述MOSFET 30V 25A 28W 4.3mohm @ 10V漏极连续电流25 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)4.3 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK 1212-8封装Reel
功率耗散28 W零件号别名SISA12DN-GE3

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