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  • SISH615ADN-T1-GE3

SISH615ADN-T1-GE3

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  • 价格:1 : ¥4.69000剪切带(CT)3,000 : ¥1.81555卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET? Gen III
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAKFET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22,1A(Ta),35A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.4 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)183 nC @ 10 VVgs(最大值)±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5590 pF @ 10 VFET 功能-
功率耗散(最大值)3.7W(Ta),52W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? 1212-8SH
封装/外壳PowerPAK? 1212-8SH

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