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SISI4466DY-E3

  • 制造商:Vishay(Vishay,Vishay)
  • 典型关断延迟时间:150 ns
  • 典型接通延迟时间:20 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:40 nC V @ 4.5
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:4mm

参考价格

  • 数量单价
  • 5RMB16.30
  • 25RMB15.70
  • 100RMB14.50
  • 500RMB13.90
  • 1000RMB8.45
封装类型SO-8尺寸5 x 4 x 1.5mm
引脚数目8最低工作温度-55 °C
最大功率耗散3 W最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V最大漏源电阻值0.009
最大连续漏极电流13.5 A最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1类别功率 MOSFET
通道模式增强通道类型N
配置四漏极、单、三源长度5mm
高度1.5mm

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