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  • SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

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  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥7.87000剪切带(CT)3,000 : ¥3.34813卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET? Gen III
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAKFET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30.9A(Ta),111.9A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 15A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)231 nC @ 10 VVgs(最大值)±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8740 pF @ 10 VFET 功能-
功率耗散(最大值)5W(Ta),65.8W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? 1212-8S
封装/外壳PowerPAK? 1212-8S

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