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  • SISS76LDN-T1-GE3

SISS76LDN-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:5现货
  • 价格:1 : ¥10.57000剪切带(CT)3,000 : ¥4.49106卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET? Gen IV
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19.6A(Ta),67.4A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)3.3V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.25 毫欧 @ 10A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33.5 nC @ 4.5 VVgs(最大值)±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2780 pF @ 35 VFET 功能-
功率耗散(最大值)4.8W(Ta),57W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? 1212-8SH
封装/外壳PowerPAK? 1212-8SH

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