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  • SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥4.62
  • 10¥4.14
  • 100¥3.80
  • 250¥3.66
  • 500¥3.52
产品属性
描述MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V漏极连续电流9.8 A, 14.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.02 Ohms, 0.009 Ohms配置Dual
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PowerPAIR
封装Reel下降时间10 ns, 40 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)30 S栅极电荷 Qg7.4 nC, 14.2 nC
功率耗散3.7 W, 4.2 W上升时间45 ns, 80 ns
零件号别名SIZ300DT-GE3

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