| 描述 | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 N 通道（双），肖特基 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 18nC @ 10V，46.7nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790pF @ 15V，2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair?（6x5） |
