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  • SIZF920DT-T1-GE3

SIZF920DT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:2,211现货
  • 价格:1 : ¥15.10000剪切带(CT)3,000 : ¥6.89662卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET? Gen IV
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 个 N 通道(双),肖特基FET 功能-
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Ta),76A(Tc),49A(Ta),197A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.07 毫欧 @ 10A,10V,1.05 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA,2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29nC @ 10V,125nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1300pF @ 15V,5230pF @ 15V
功率 - 最大值3.9W(Ta),28W(Tc),4.5W(Ta),74W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerWDFN
供应商器件封装8-PowerPair?(6x5)

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