| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），19A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1.01mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 6.3 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1092 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta），19W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | HSO8-F4-B |
| 封装/外壳 | 8-PowerSMD，扁平引线 |
