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  • SKW25N120

SKW25N120

  • 制造商:-
  • 数据列表:SKW25N120
  • 标准包装:240
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 240$7.56204
产品属性
描述IGBT NPT 1200V 46A 313W TO247-3IGBT 类型NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200VVge, Ic时的最大Vce(开)3.6V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)46A功率 - 最大313W
输入类型标准型安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3供应商设备封装PG-TO247-3
包装管件其它名称SP000012571

“SKW25N120”DZBBS

  • 电磁炉原理与维修

    sfet, 开关频率直达100khz, 开关损耗仅为gtr的30%。 igbt将场控型器件的优点与gtr的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的igbt,它们的参数如下:(1) sgw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)使用,该igbt配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)后可代用skw25n120。(2) skw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部带阻尼二极管,该igbt可代用sgw25n120,代用时将原配套sgw25n120的d11快速恢复二极管拆除不装。(3) gt40q321----东芝公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时42a,100℃时23a, 内部带阻尼二极管, 该igbt可代用sgw25n120、skw25n120, 代用sgw25n120时请将原配套该igbt的d11快速恢复二极管拆除不装。(4) gt ...

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