描述 | MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 4 个 N 通道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 175 毫欧 @ 5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 850pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 5W | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 12-SIP 裸露接片 |
供应商器件封装 | 12-SIP |