SMBJ150

组和次级绕组采用间绕方式。另外，绕制变压器时无需留气隙。 3.4 输出电感的选取 在最大输入电压vmax 下确定输出电感，以保证电流连续性。假设电感峰- 峰值纹波电流△f 为最大负载电流的15%~20%. 计算出lo=121.58 μh. 3.5 dpa- switch 外围电路设计 开关电源原理如图5 所示。由c1、c2、l1 组成输入emi 滤波部分。为防止dpa- switch 内部开关管漏极电压受初级漏感电流的影响而超出其额定值，在初级侧增加箝位网络，选smbj150 起到24 v限压作用。r1 设置器件的起始电压，r2 用于器件限流。c4 吸收纹波，与dpa- switch 的control 引脚相连的r3 和c4 一起构成了反馈环路的补偿网络。d1、c5 调整过滤偏压。 图5 开关电源原理 3.6 多路输出电路设计 主输出采用同步整流电路，使用无源的rc 电路驱动mosfet 整流管，可以避免栅极过电压的情况。同步整流管采用si4804 型功率mosfet, 其额定工作电流7.5 a , 最高反向工作电压35 v.c6通过r5 对开关管 ...

绕组采用间绕方式。另外， 绕制变压器时无需留气隙。 3.4 输出电感的选取 在最大输入电压vmax 下确定输出电感， 以保证电流连续性。假设电感峰- 峰值纹波电流△f 为最大负载电流的15%～20%。 计算出lo=121.58 μh。 3.5 dpa- switch 外围电路设计 开关电源原理如图5 所示。由c1、c2、l1 组成输入emi 滤波部分。为防止dpa- switch 内部开关管漏极电压受初级漏感电流的影响而超出其额定值， 在初级侧增加箝位网络， 选smbj150 起到24 v限压作用。r1 设置器件的起始电压， r2 用于器件限流。c4 吸收纹波， 与dpa- switch 的control 引脚相连的r3 和c4 一起构成了反馈环路的补偿网络。d1、c5 调整过滤偏压。 图5 开关电源原理 3.6 多路输出电路设计 主输出采用同步整流电路， 使用无源的rc 电路驱动mosfet 整流管， 可以避免栅极过电压的情况。同步整流管采用si4804 型功率mosfet， 其额定工作电流7.5 a ， 最高反向工作电压35 v。c6通过r5 ...

大大简化电路设计。由c1、l1和c2构成输入端的电磁干扰（emi）滤波器，可滤除由电网引入的电磁干扰。r1用来设定欠电压值（uuv）及过电压值（uov），取r1=619kω时，uuv=619kω×50μa＋2.35v=33.3v，uov=619kω×135μa＋2.5v=86.0v。当输入电压过高时r1还能线性地减小最大占空比，防止磁饱和。r3为极限电流设定电阻，取r3=11.1kω时，所设定的漏极极限电流i′limit=0.6ilimit=0.6×2.50a=1.5a。电路中的稳压管vdz1（smbj150）对漏极电压起箝位作用，能确保高频变压器磁复位。 该电源采用漏－源通态电阻极低的si4800型功率mosfet做整流管，其最大漏－源电压uds(max)=30v，最大栅－源电压ugs(max)=±20v，最大漏极电流为9a（25℃）或7a（70℃），峰值漏极电流可达40a，最大功耗为2.5w（25℃）或1.6w（70℃）。si4800的导通时间ton=13ns（包含导通延迟时间td(on)=6ns，上升时间tr=7ns），关断时间toff=34ns（包含关断延迟时间td(off)=23ns ...