描述 | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC | FET 型 | 2 个 P 沟道(双) |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 42 毫欧 @ 5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 10V | 功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP8J1TB-NDSP8J1TBTR |