| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 51 毫欧 @ 5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SP8K1TB-NDSP8K1TBTR |
