| 描述 | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (AEC-Q10 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Ta），4.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25mOhm @ 7A，10V，56mOhm @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 8.4nC @ 5V，8.5nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 10V，850pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta） | 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
