| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 | 系列 | CoolMOS? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 4.6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 350?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 32W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 | 供应商设备封装 | PG-TO220FP |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | SP000216305SPA07N65C3INSPA07N65C3XK |
反激变换器要求输入交流电压为90v~264v能够正常使用，最大输入电压时加在变换器上的整流直流电压为： 此处mosfet管承受的漏源间最大电压， vds_max=uinmax+nvo.假设n是4.5,vo是19v,则vds_max=373+4.5*19=458.5（v）， 因为还有漏感产生的尖峰电压存在，应留有一定裕量，取650v耐压的 mosfet.mosfet管选用标准为：在满足器件开关应力的前提下，驱动电路使输出的驱动波形具有陡峭的上升沿和下降沿，设计中选定mosfet型号为：spa07n65c3（漏源级电压650v, 漏极电流7a,导通电阻0.6ω）。 由于变压器的绕制工艺引起的漏感以及负载的电感性引起的开关电压应力过大可能导致开关管的损坏，此处采用的是有瞬态电压抑制器与二极管串联构成的尖峰电压吸收网络，可有效防止功率mosfet 管关断过程中承受的反压。d8 是型号p6 ke150a 的tvs（transient voltage suppresser）， 钳位电压150v/耗散功率600w,d9 是byv95c（1 a/1kv）具有软恢复特性的二级管。开关管vds 的最大钳位电 ...
