您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > spb08p06p g
  • SPB08P06P G

SPB08P06P G

  • 制造商:-
  • 数据列表:SPB08P06P G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SIPMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.4455
产品属性
描述MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 6.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds420pF @ 25V功率 - 最大42W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-2包装带卷 (TR)
其它名称SP000102179SPB08P06P G-NDSPB08P06PGINTRSPB08P06PGXT

spb08p06p g的相关型号: