| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | 系列 | CoolMOS? |
|---|---|---|---|
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 500?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SP000013519SPB11N60C3INTRSPB11N60C3XTSPB11N60C3XTINTRSPB11N60C3XTINTR-ND |
