| 描述 | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 17A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 290 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 177nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2300pF @ 100V | 功率 - 最大 | 227W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | P-TO263-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000013370SPB17N80C3INTRSPB17N80C3TSPB17N80C3XTSPB17N80C3XTINTRSPB17N80C3XTINTR-ND |
spb17n80c3价格分析：根据各大电子网站搜索排名，spb17n80c3近期所报参考价区间为：3元/pcs~3.5元/pcs。据各大商家反映，该型号近期价格有所下跌，跌幅不算太大。库存相对充足，无需订货。 spb17n80c3基本参数： 所属类别：晶体管 品牌：infineon 封装：to-263 fet型：mosfet n通道，金属氧化物 fet特点：标准型 开态rds（最大）@ id, vgs @25°c：290毫欧@11a, 10v 漏极至源极电压(vdss)：800v 电流-连续漏极(id) @25°c：17a id时的vgs(th)（最大）：3.9v @ 1ma 闸电荷(qg) @ vgs：177nc @ 10v 在vds时的输入电容(ciss)：2300pf @ 100v 功率-最大：227w ...
