| 描述 | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20.7A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 13.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | 功率 - 最大 | 208W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000013520SPB20N60C3INTRSPB20N60C3XTSPB20N60C3XT-ND |
