描述 | MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3 | FET 类型 | P 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 23 毫欧 @ 64A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 5.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 173 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5033 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 340W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
【STMicroelectronics】SPBT2532C2.AT,蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth Class2 Mod 4 I/O 4x12-Bit A/D
【STMicroelectronics】SPBT2532C2.AT2,蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth V2.1 Mod Class2 SPP AT Rev2
【STMicroelectronics】SPBT2632C1.AT2,蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth Module
【STMicroelectronics】SPBT2632C1A.AT2,蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth Class1 MOD v3.0 RF 128bit 60m
【STMicroelectronics】SPBT2632C2.AT2,蓝牙/802.15.1 模块 Bluetooth Module