| 描述 | MOSFET MOSFET N-Channel | 漏极连续电流 | 7.3 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.6 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-252 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 7 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 83 W | 上升时间 | 3.5 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 零件号别名 | SP000313947 SPD07N60C3BTMA1 SPD07N60C3XT |
阻关系，测量条件为25°c 。将80 mω、310 mω和 660mω650v cfd2器件与前代基于c3技术的600v cfd对比。 显然，全新的650v cfd2器件相对于前代技术，在动态特性（qrr、trr）和最低通态电阻之间达到更好的平衡。 图6 trr与通态电阻关系，测量条件为25°c。将80mω、310mω和660mω 650v cfd2器件与前代基于c3技术的600v cfd对比。 在hid桥上的性能评估 我们还将这些新器件的性能与hid半桥上采用的spd07n60c3进行了对比。通过采用新一代coolmos cfd2器件，可无需使用d2、d3、d4和d5二极管，从而降低了系统成本（图7）。 图7 典型的hid半桥电路。利用全新的coolmos（tm） 650v cfd2器件代替t2 和 t3晶体管，无需采用d2 至d5的二极管。 图8为t2 和t3晶体管为spd07n60c3以及d2、d3、d4和d5二极管使用时，获得的波形。采用这种设置时，我们可获得91.81%的效率。 图8 将spd07n60c3作为开关和d2至 d5二 ...
