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SPD11N10

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-CH 12 V 30 mA漏极连续电流10.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)170 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-252封装Reel
下降时间23 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)5.8 S / 2.6 S
最小工作温度- 55 C功率耗散50 W
上升时间46 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间29 ns

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