您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > spi80n06s-08
  • SPI80N06S-08

SPI80N06S-08

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:55 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET MOSFET漏极连续电流80 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)8 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-262封装Tube
下降时间32 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散300 W上升时间53 ns
典型关闭延迟时间54 ns零件号别名SPI80N06S08XK

spi80n06s-08的相关型号: