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SPN02N60S5

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：3.5 V

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产品属性

描述	MOSFET TRANSISTOR	漏极连续电流	400 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3 Ohms	配置	Single Dual Drain
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-223-4	封装	Reel
下降时间	15 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.8 W	上升时间	15 ns
工厂包装数量	1000	典型关闭延迟时间	110 ns

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