描述 | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 | 系列 | CoolMOS? |
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FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 950 毫欧 @ 2.8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.9V @ 200?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V |
功率 - 最大 | 50W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
包装 | 管件 | 其它名称 | SP000086711SP000307419 |