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SPW55N80C3FKSA1

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：850 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：54.9 A

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参考价格

数量单价
1￥120.27
10￥109.43
100￥93.08
500￥79.28
1000￥72.80

产品属性

描述	MOSFET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.085 Ohm
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	PG-TO 247
封装	Tube	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	500 W

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