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  • SQ2319ES-T1-GE3

SQ2319ES-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.3045
产品属性
描述MOSFET P-CH D-S 40V TO-236FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
功率 - 最大3W安装类型*
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)

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