| 描述 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 545pF @ 30V | 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SQ2361EES-T1-GE3TR |
