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SQ3469EV-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 20 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
1￥2.62
10￥2.42
100￥2.35
250￥2.07
500￥1.86

产品属性

描述	MOSFET 20V 8A 5W P-Ch Automotive	漏极连续电流	- 8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.036 Ohms at - 10 V	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSOP-6	封装	Reel
下降时间	10 nS	栅极电荷 Qg	17.7 nC
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	5 W
上升时间	10 nS	典型关闭延迟时间	32 nS
零件号别名	SQ3469EV-GE3

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