| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.3 毫欧 @ 4A，10V，3 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 20nC @ 10V，50nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400pF @ 6V，3700pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 27W（Tc），48W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 双通道不对称 |
