您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > sqj912ep-t1-ge3

SQJ912EP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:40 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 2000¥4.16
  • 3000¥3.99
  • 6000¥3.81
  • 12000¥3.73
产品属性
描述MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive漏极连续电流8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.014 Ohms at 10 V配置Dual
最大工作温度+ 175 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SO-8L封装Reel
下降时间19 nS栅极电荷 Qg31.5 nC
最小工作温度- 55 C功率耗散48 W
上升时间21 nS典型关闭延迟时间33 nS
零件号别名SQJ912EP-GE3

sqj912ep-t1-ge3的相关型号: