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SQS966ENW-T1_GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥7.79000剪切带(CT)3,000 : ¥3.32126卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CHAN 60V技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)36 毫欧 @ 1.25A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.8nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)572pF @ 25V
功率 - 最大值27.8W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装,可润湿侧翼封装/外壳PowerPAK? 1212-8W 双
供应商器件封装PowerPAK? 1212-8W 双

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