| 描述 | MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道，共漏 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 40V，200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc），20A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，60 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA，3.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 23nC @ 20V，14nC @ 20V，30.2nC @ 100V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1474pF @ 20V，1450pF @ 20V，1302pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 48W（Tc），60W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 | 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
