| 描述 | MOSFET P-Ch/60V/2a/ 0.28Ohm@VGS=10V | 漏极连续电流 | - 2 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.28 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Dual Source Dual Gate |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 17 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 5 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 16 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
