描述 | MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.2A, -60 | FET 类型 | P 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 105 毫欧 @ 3A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 15 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1300 pF @ 30 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |