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SSI7N60BTU

描述MOSFET 600V Single漏极连续电流7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.2 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体I2PAK封装Tube
下降时间85 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)8.2 S
最小工作温度- 55 C功率耗散3.13 W
上升时间80 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间125 ns

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