描述 | MOSFET P-CH 20V 4A UFM | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 38 毫欧 @ 3A,4V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22.3nC @ 4V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1484pF @ 10V |
功率 - 最大 | 500mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 | 供应商设备封装 | UFM(2.0x2.1) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SSM3J120TU(T5LT)TRSSM3J120TU(TE85L)TRSSM3J120TU(TE85L)TR-ND |