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SSP1N60B_Q

描述MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm漏极连续电流1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)12 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间35 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散34 W上升时间45 ns
典型关闭延迟时间25 ns

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