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SSP4N60B

描述MOSFET N-Ch/600V/4a/2.50hm漏极连续电流4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)2.5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间55 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散100 W上升时间55 ns
工厂包装数量50典型关闭延迟时间70 ns

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