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  • SSU1N60BTU_WS

SSU1N60BTU_WS

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C900mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 欧姆 @ 450mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds215pF @ 25V
功率 - 最大2.5W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

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