| 描述 | ARRAY FOR SOLENOID DRIVE 4IN1/12 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 4 个 N 通道 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 120V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 4W（Ta），20W（Tc） | 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 10-SIP |
| 供应商器件封装 | 10-SIP |
