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  • STB10NK60Z-1

STB10NK60Z-1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.37025
描述MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1370pF @ 25V功率 - 最大115W
安装类型通孔封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA
供应商设备封装I2PAK包装管件

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