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  • STB120N4F6

STB120N4F6

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$2.94
  • 10$2.625
  • 25$2.3624
  • 100$2.1525
  • 250$1.94252
描述MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds3850pF @ 25V功率 - 最大110W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK包装管件
其它名称497-10768-5

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