您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > stb12nm50fdt4
  • STB12NM50FDT4

STB12NM50FDT4

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 500V 12A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 25V
功率 - 最大160W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装Digi-Reel?其它名称497-5380-6

stb12nm50fdt4的相关型号: